12英寸氮化硅光子晶圆工艺开发制备技术服务（布拉格光栅波导与低损耗微腔结构）（WLU-FW-KS-NM-2026-1322）采购公告

项目名称1	12 英寸氮化硅光子晶圆工艺开发制备技术服务（布拉格光栅波导与低损耗微腔结构）	项目编号	登录后查看
公示开始日期	登录后查看 16:42:20	公示截止日期	登录后查看 17:00:00
采购单位	西湖大学	付款方式	内贸部分：货到验收合格后付全款
联系人	登陆后查看	联系电话	登陆后查看
到货时间要求		预算总价	￥ 230,000
收货地址
供应商资质要求	符合《政府采购法》第二十二条规定的供应商基本条件 ;  法定代表人资格证明书 (联系人须与法定代表人一致)/投标授权委托书(联系人须与被授权人一致) (必选) ;  被授权人社保缴纳证明 (近3个月) (必选)

采购清单1

采购物品	采购数量	计量单位	所属分类
12 英寸氮化硅光子晶圆工艺开发制备技术服务（布拉格光栅波导与低损耗微腔结构）	1	项

品牌
规格型号
预算	￥ 230,000
技术参数	一、技术服务目标 受托方应为委托方完成"12 英寸氮化硅光子晶圆工艺开发制备技术服务（布拉格光栅波导与低损耗微腔结构）"晶圆的工艺开发与制备服务，具体目标如下： 1. 完成 4 片 12 英吋（300 mm）氮化硅光子晶圆的加工，片内集成氮化硅光波导、布拉格光栅及环形/级联微腔测试结构，满足委托方提供的设计版图及本合同技术规格要求； 2. 关键工艺指标：布拉格光栅周期 ≤400 nm（周期公差 ± 5 nm），光栅线宽 ≤200 nm（线宽公差 ± 15 nm）；氧化硅下包层厚度 ≥4.0 μm（热氧化工艺）；氮化硅波导层厚度 300 ± 5 nm；波导传输损耗 ≤1.5 dB/cm（@1530–1565 nm，TE 偏振，经 spiral 波导 cut-back 拟合与环形腔本征 Q 值双重表征）； 二、技术服务方式 1. 加工模式：本服务采用专用批次加工模式，4片晶圆作为一个批次投片，由受托方 12 英吋产线完成全套工艺流程； 2. 技术协作方式：双方指定项目对接人，采用"版图冻结 → 设计规则检查（DRC）确认 → 工艺流转 → 过程数据汇报 → 完工验收"的流程推进；投片前受托方应对委托方 GDS 版图完成 DRC 检查及 dummy fill 填充，并将检查结果书面反馈委托方确认后方可投片； 3. 完工验证方式：受托方在晶圆完工后采用片级光纤耦合自动探针台（或划片后测试）对内置 spiral 波导损耗测试组及环形谐振腔进行测试：损耗由不同长度 spiral 波导的 cut-back 线性拟合提取（扣除耦合损耗），并由环形腔谐振谱拟合本征 Q？ 交叉验证，提供损耗统计报告（均值 + 3σ，覆盖中心/边缘 ≥9 个 die） 4. 质量保障方式：受托方应保证所提供的加工服务符合国家/行业标准及本合同约定；出现整批性工艺超差的，受托方应承担返工或重新投片责任；片内个别 die 超差不构成违约，但应在报告中如实标注。 三、技术服务内容 受托方提供的加工服务内容包括但不限于以下事项： （一）晶圆与薄膜制备 1. 12 英寸抛光硅片（P 型掺硼，电阻率 1–10 Ω·cm）备料与清洗； 2. 热氧化制备 SiO？ 下包层，厚度 4.0 ± 0.2 μm，提供膜厚均匀性 mapping 报告（片内 ±3%，9 点以上）； 3. PECVD 淀积低应力氮化硅薄膜，厚度 300 ± 5 nm，片内均匀性 ≤ ±3%、片间 ≤ ±5%，应力绝对值 ≤200 MPa，表面粗糙度 RMS ≤0.5 nm； （二）光刻与刻蚀 4. 采用 193 nm 浸没式光刻完成图形转移（单次曝光），支持光栅周期 ≤400 nm、线宽 ≤200 nm 的精细图形； 5. 线宽公差 ±15 nm、周期公差 ±5 nm、片内 CD 均匀性（3σ）报告；刻蚀深度 300 ± 10 nm 全刻蚀至下包层，侧壁角 85–90°；波导-微环耦合间距抽测公差 ±15 nm； 6. 提供 CD-SEM 关键尺寸抽测及侧壁形貌报告； （三）测试结构加工与量测 7. 每片晶圆内置 cut-back spiral波导、环形谐振腔（含与主设计一致的耦合间距抽测组）； 8. 片级传输测试（1530–1565 nm，TE 偏振）：波导损耗 ≤1.5 dB/cm，由不同长度 spiral 波导的 cut-back 线性拟合提取（扣除输入/输出耦合损耗），并由环形腔谐振谱拟合本征 Q？ 进行交叉验证； 9. 膜厚/线宽/损耗 mapping 统计报告（均值 + 3σ）； （四）交付 10. 交付 4片加工完成的晶圆（掩膜版制造费用委托方承担），全套量测与测试报告（纸质 + 电子数据）； 11. 交付周期：自版图确认之日起 4 周。
售后服务

西湖大学

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